長(cháng)沙創芯集成電(diàn)路科(kē)技(jì )園

長(cháng)沙創芯集成電(diàn)路科(kē)技(jì )園項目位于長(cháng)沙縣經開區(qū)，由四棟廠房及綜合樓組成，其中(zhōng)101#芯片生産(chǎn)廠房，總建築面積達36752平方米，建築高度為(wèi)23.4米，結構形式為(wèi)鋼結構多(duō)層工(gōng)業廠房，鋼結構屋架跨度為(wèi)76米，B 區(qū)二層樓闆為(wèi)新(xīn)型材料華夫闆，面積達5500平方米。

長(cháng)沙創芯集成電(diàn)路有(yǒu)限公(gōng)司（Changsha Innovation Semiconductor Corp.）為(wèi)外商(shāng)獨資企業，注冊資金3100萬美元，總投資金額3億美元，位于湖(hú)南省長(cháng)沙經濟技(jì )術開發區(qū)黃興大道東側，人民(mín)東路和映霞路之間。

長(cháng)沙創芯集成電(diàn)路有(yǒu)限公(gōng)司擁有(yǒu)完整的六英寸晶圓設備和生産(chǎn)技(jì )術，企業管理(lǐ)團隊具(jù)有(yǒu)多(duō)年的海内外集成電(diàn)路企業運營經驗，是專門從事集成電(diàn)路制造和工(gōng)藝研發的高新(xīn)科(kē)技(jì )企業。公(gōng)司堅持以客戶為(wèi)導向，完善各項管理(lǐ)體(tǐ)系，提供晶圓生産(chǎn)代工(gōng)服務(wù)，包括CMOS, Bipolar, BiCMOS, 平面和溝槽DMOS, BCDMOS, MASK ROM等标準工(gōng)藝及一系列客制化工(gōng)藝平台,如IGBT。

6英寸0.35μm功率及模拟集成電(diàn)路芯片生産(chǎn)線(xiàn)設計産(chǎn)能(néng)6萬片/月，第一階段達産(chǎn)規模為(wèi)3.5萬片/月，為(wèi)湖(hú)南首家開放式集成電(diàn)路生産(chǎn)工(gōng)廠，主要以0.35μm及以上的國(guó)際通用(yòng)的标準工(gōng)藝技(jì )術為(wèi)主體(tǐ)流程，再依客戶産(chǎn)品不同的需求，開發客制化工(gōng)藝平台。産(chǎn)品包括：驅動IC、電(diàn)源管理(lǐ)IC、混合訊号處理(lǐ)、RF IC及分(fēn)立器件等，主要應用(yòng)于電(diàn)源控制類産(chǎn)品、各類電(diàn)子産(chǎn)品的電(diàn)源（家電(diàn)、手機等）、智能(néng)電(diàn)網、高鐵、太陽能(néng)及轉換、電(diàn)動汽車(chē)等領域。